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2SK3482
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
80
10000
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
70
60
50
40
30
20
10
0
V GS = 4.5 V
10 V
Pulsed
1000
100
10
C iss
C oss
C rss
V GS = 0 V
f = 1 MHz
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
100
10
t f
V DD = 50 V
V G S = 10 V
R G = 0 Ω
90
80
I D = 36 A
V DD = 80 V
50 V
20 V
V GS
8
100
t d(off)
70
60
6
50
td(on)
40
4
10
t r
30
20
10
V DS
2
1
0
0
0.1
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs. DRAIN CURRENT
100
10
V GS = 10 V
0V
1000
100
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
1
10
0.1
Pulsed
0.01
1
0.0
0.5
1.0
1.5
0.1
1
10
100
V SD - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D15064EJ3V0DS
I F - Drain Current - A
5
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